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APTM120VDA57T3G 零件图片（仅供参考）

APTM120VDA57T3G
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APTM120VDA57T3G 规格参数

  • 制造商产品型号：APTM120VDA57T3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：POWER MOS 7
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：684 毫欧 @ 8.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：187nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5155pF @ 25V
  • 功率-最大值：390W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP3
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APTM120VDA57T3G 基本参数：

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