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APTM100H18FG 零件图片（仅供参考）

APTM100H18FG

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APTM100H18FG 规格参数

型号:APTM100H18FG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:4 N 沟道（全桥）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:1000V（1kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):43A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:372nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10400pF @ 25V
功率 - 最大值:780W
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
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APTM100H18FG 基本参数：

电子零件型号：APTM100H18FG
原始制造厂商：Atmel（爱特梅尔，已被Microchip收购）
技术标准参数：MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
点击此处查询APTM100H18FG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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