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APTGT100A120D1G 零件图片（仅供参考）

APTGT100A120D1G
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APTGT100A120D1G 规格参数

  • 制造商产品型号：APTGT100A120D1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：半桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
  • 功率-最大值：520W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，100A
  • 电流-集电极截止（最大值）：3mA
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：7nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 工作温度：-
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：D1
  • APTGT100A120D1G，Atmel（Microchip）产品一站式供应商。
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APTGT100A120D1G 基本参数：

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