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APTC60DDAM35T3G 零件图片（仅供参考）

APTC60DDAM35T3G
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APTC60DDAM35T3G 规格参数

  • Microsemi美高森美完整型号：APTC60DDAM35T3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
  • 系列：-
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：72A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 72A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：518nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：416W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP3
  • 供应商器件封装：SP3
  • APTC60DDAM35T3G，Atmel（Microchip）产品一站式供应商。
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APTC60DDAM35T3G 基本参数：

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