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2N6798 零件图片（仅供参考）

2N6798
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2N6798 规格参数

  • 制造商产品型号：2N6798
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.29nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-39
  • 2N6798，Atmel（Microchip）产品一站式供应商。
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2N6798 基本参数：

  • 电子零件型号：2N6798
  • 原始制造厂商：Atmel（爱特梅尔，已被Microchip收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询2N6798的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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